Gửi tin nhắn
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
E-mail ice@tsdatech.com ĐT: 86--13825240555
Trang chủ > các sản phẩm > Chip IC bóng bán dẫn >
F475R07W1H3B11ABOMA1
  • F475R07W1H3B11ABOMA1
F475R07W1H3B11ABOMA1

F475R07W1H3B11ABOMA1

Thông tin chi tiết sản phẩm
Nhóm:
Sản phẩm bán dẫn rời rạc Bóng bán dẫn IGBT Mô-đun IGBT
Hiện tại - Bộ thu (Ic) (Tối đa):
37,5 A
Tình trạng sản phẩm:
Bị lỗi thời
Loại lắp đặt:
khung gầm
gói:
Thẻ
Dòng:
EasyPACK™
Bao bì / Vỏ:
mô-đun
Vce(bật) (Tối đa) @ Vge, Ic:
1.6V@15V, 37.5A
Điện áp - Sự cố bộ phát Collector (Tối đa):
650 V
Bao gồm thiết bị của nhà cung cấp:
mô-đun
Mfr:
Công nghệ Infineon
Nhiệt độ hoạt động:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Hiện tại - Collector Cutoff (Tối đa):
50µA
Loại IGBT:
Rãnh trường dừng
Sức mạnh tối đa:
275 W
Nhập:
Tiêu chuẩn
Điện dung đầu vào (Cies) @ Vce:
4,7 nF @ 25 V
Cấu hình:
Biến tần toàn cầu
Nhiệt điện trở NTC:
Vâng.
Số sản phẩm cơ bản:
F475R07
Điều khoản thanh toán & vận chuyển
Cổ phần
Trong kho
Phương pháp vận chuyển
LCL, HÀNG KHÔNG, FCL, Chuyển phát nhanh
Mô tả
Mô-đun IGBT
Điều khoản thanh toán
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Mô tả Sản phẩm
Mô-đun IGBT Rãnh dừng trường Toàn cầu Biến tần 650 V 37,5 A 275 W Mô-đun gắn khung gầm

thẻ:

Chip IC bóng bán dẫn,

Chip nhúng,

Chip nhúng SMD

Sản phẩm khuyến cáo

Liên lạc chúng tôi bất cứ lúc nào

86--13825240555
609 Số 4018, đường baoan, phố Xixiang, quận Baoan, Thâm Quyến, Quảng Đông
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Gửi yêu cầu của bạn trực tiếp cho chúng tôi