Gửi tin nhắn
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
E-mail ice@tsdatech.com ĐT: 86--13825240555
Trang chủ > các sản phẩm > Chip IC bóng bán dẫn >
DF200R12KE3HOSA1
  • DF200R12KE3HOSA1
DF200R12KE3HOSA1

DF200R12KE3HOSA1

Thông tin chi tiết sản phẩm
Nhóm:
Sản phẩm bán dẫn rời rạc Bóng bán dẫn IGBT Mô-đun IGBT
Hiện tại - Collector Cutoff (Tối đa):
5mA
Tình trạng sản phẩm:
Hoạt động
Loại lắp đặt:
khung gầm
gói:
Thẻ
Dòng:
-
Vce(bật) (Tối đa) @ Vge, Ic:
2.15V @ 15V, 200A
Điện áp - Sự cố bộ phát Collector (Tối đa):
1200 V
Bao gồm thiết bị của nhà cung cấp:
mô-đun
Mfr:
Công nghệ Infineon
Nhiệt độ hoạt động:
-40°C ~ 125°C
Sức mạnh tối đa:
1040W
Loại IGBT:
-
Bao bì / Vỏ:
mô-đun
Nhập:
Tiêu chuẩn
Điện dung đầu vào (Cies) @ Vce:
14 nF @ 25 V
Cấu hình:
Đơn vị
Nhiệt điện trở NTC:
Không.
Số sản phẩm cơ bản:
DF200R12
Điều khoản thanh toán & vận chuyển
Cổ phần
Trong kho
Phương pháp vận chuyển
LCL, HÀNG KHÔNG, FCL, Chuyển phát nhanh
Mô tả
MODULE IGBT 1200V 1040W
Điều khoản thanh toán
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Mô tả Sản phẩm
Mô-đun IGBT đơn 1200 V 1040 W Mô-đun gắn khung gầm

thẻ:

Chip IC bóng bán dẫn,

Chip nhúng,

Chip nhúng SMD

Sản phẩm khuyến cáo

Liên lạc chúng tôi bất cứ lúc nào

86--13825240555
609 Số 4018, đường baoan, phố Xixiang, quận Baoan, Thâm Quyến, Quảng Đông
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Gửi yêu cầu của bạn trực tiếp cho chúng tôi