logo
Gửi tin nhắn
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
E-mail ice@tsdatech.com ĐT: 86--13825240555
Trang chủ > các sản phẩm > Chip IC bóng bán dẫn >
PDTD113ZQAZ
  • PDTD113ZQAZ
PDTD113ZQAZ

PDTD113ZQAZ

Thông tin chi tiết sản phẩm
Nhóm:
Sản phẩm bán dẫn rời rạc Transistor Transistor lưỡng cực (BJT) Transistor lưỡng cực đơn, tiền phân c
Hiện tại - Bộ thu (Ic) (Tối đa):
500mA
Tình trạng sản phẩm:
Hoạt động
Loại bóng bán dẫn:
NPN - Xu hướng trước
Tần suất - Chuyển tiếp:
210 MHz
Loại lắp đặt:
Mặt đất
gói:
Dây băng và cuộn (TR)
Dòng:
Ô tô, AEC-Q101
Độ bão hòa Vce (Tối đa) @ Ib, Ic:
100mV @ 2,5mA, 50mA
Điện áp - Sự cố bộ phát Collector (Tối đa):
50 V
Bao gồm thiết bị của nhà cung cấp:
DFN1010D-3
Điện trở - Đế (R1):
1 kOhm
Mfr:
Nexeria Hoa Kỳ Inc.
Điện trở - Cơ sở phát (R2):
10 kOhms
Hiện tại - Collector Cutoff (Tối đa):
500nA
Sức mạnh tối đa:
325 mW
Bao bì / Vỏ:
Tấm tiếp xúc 3-XDFN
Mức tăng dòng điện một chiều (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce:
70 @ 50mA, 5V
Số sản phẩm cơ bản:
PDTD113
Điều khoản thanh toán & vận chuyển
Cổ phần
Trong kho
Phương pháp vận chuyển
LCL, HÀNG KHÔNG, FCL, Chuyển phát nhanh
Mô tả
TRANS PREBIAS NPN 3DFN
Điều khoản thanh toán
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Mô tả Sản phẩm
Bipolar Transistor (BJT) NPN - Bipolar 50 V 500 mA 210 MHz 325 mW Mặt đất DFN1010D-3

thẻ:

Chip IC bóng bán dẫn,

Chip nhúng,

Chip nhúng SMD

Sản phẩm khuyến cáo

Liên lạc chúng tôi bất cứ lúc nào

86--13825240555
609 Số 4018, đường baoan, phố Xixiang, quận Baoan, Thâm Quyến, Quảng Đông
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
Gửi yêu cầu của bạn trực tiếp cho chúng tôi